Especificaciones (Boride de cerámica, metales, el fluoruro, óxido, Selenide, Silicide, sulfuros, Tellurides) Sputteirng Targe (Boride de cerámica, metales, el fluoruro, óxido, Selenide, Silicide, sulfuros, Tellurides)Objetivo Sputteirng Hay muchos ingenieros que trabajan este campo durante 20 años en China raro metal Co.,ltd. La calidad es de primordial importancia a medida que nos coincide con el material a las necesidades del cliente y garantizar su completa trazabilidad. CRM orgullosos de prontas respuestas constante calidad y precios competitivos. Speciafication: La pureza:99%-99.9999% Forma: Hoja de la placa, disco, Rectángulo, tubos, varillas y dibujando Aplicación: thin film ópticos, eléctricos, de película delgada de película delgada de superconductor, la película protectora, ingeniero de la superficie,... Método de moldeo: Vacío de prensa caliente el horno, la cadera, HP, CIP, horno de sinterización de vacío, pulverización La máquina: el vacío de fundición, AtmosphericCasting, Rolling(frío/caliente), la laminación en frío, forja (frío/caliente), cortar, fresar, serrar, molienda, etc.. Dimensiones: Diámetro (<500mm), la longitud (<1.000 mm), el ancho (<500mm), espesor (>1mm), por el dibujo -------------------------------------------------------------------------------- La autenticación 1.1 Objetivos de Sputtering (cerámica) 1.1.1 (Elemental quebradiza de Sputtering Meta Materiales): B;Bi;Cr;Re;Ru;Sb;Se;Te. 1.1.2 (óxido de Sputtering objetivos): Al2O3;Bi2O3;Cr2O3;CuO;Cu2O;Fe2O3;Fe3O4;HfO2;In2O3;MgO;MoO3;Nb2O5;NbOx;NiO;PbO;Sb2O3;SiO;SiO2;;TA2O5,TaOx;TiO;TiOx;TiO2:ZrO2;V2O5;WO3;ZnO;ZrO2. La2O3;CeO2;Nd2O3;Sm2O3;ue2O3;Gd2O3;Tb4O7;dy2O3;Ho2O3;Er2O3;Tm2O3;yb2O3;Lu2O3;Sc2O3;Y2O3. 1.1.3 (sputtering de nitruro de metas): AlN;mn;HfN;NbN;Si3N4;TaN;TiCN;TiN;VN;ZrN 1.1.4 De Sputtering carburo (Objetivos): B4C;Cr3C2;HfC;Mo2C;NbC;SiC;;TiC TaC;VC;W2C;WC;WC+Co;WC+Ni;ZrC 1.1.5 Objetivos de fluoruro (sputtering): BaF2;CaF2;CeF3;DyF3;ErF3;HfF4;LaF3;LiF;MgF2;Na3AlF6;NaF;NdF3;PbF2;EMP3;3;YbF SmF3;Fa3 1.1.6 (sputtering Silicide objetivos): CoSi2;CrSi HfSi2;2;2;NbSi MoSi2;NiSi2;TaSi2;TiSi2;VSi2;WSi2;ZrSi2 1.1.7 Objetivos de sulfuro (sputtering): As2S3;Bi2S3;CdS;CuS;Cu2S;;FeS FeS2;Ga2S3;GeS;En2S3;MoS2;SBN;PbS;Sb2S3;SnS2;TaS2;WS2;ZnS. 1.1.8 (sputtering Boride objetivos): CrB2;FeB;HfB2;LaB6;Mo2B;NdB2;TaB2;TiB2;VB2;WB2;ZrB2 1.1.9 (sputtering Selenide objetivos): Como2Se3;Bi2Se3;CdSe;CuSe;CuSe2;Ga2Se3;GeSe;InSe;En2Se3;MoSe2;NbSe2;PbSe;Sb2Se3;TaSe2;2;ZnSe WSe 1.1.10 (Telluride Sputtering objetivos): Ag2Te;Al2Te3;Al2Te3;As2Te3;Bi2Te3;CdTe;CuTe;Cu2Te;GaTe;Ga2Te3;GeTe; En2Te3;MoTe2;NbTe2;PbTe;Sb2Te3;SnTe;TaTe2;TmTe;ZnTe 1.1.11 (sputtering Antimonide objetivos): Bi2Sb3;GaSb;InSb;In2Sb3;PbSb 1.1.12 (otros de alta pureza Multi-Compound Sputtering objetivos): AgInS2;AgInTe2;BixSb1;CdInTe xTe4;CuZnSnS;CIGS(CuInxGa1-xSe2);CIGSS(CuInxGa1-x(Se.S)2);CuInSe2;GaxAl1;GeSbTe xAs;PbxSn1;ZnIn xAs2Te4;ZnxCd xTe1. 1.1.13 (mezcla de otros objetivos de sputtering): ATO(Sb2O3:SnO2);AZO(ZnO:Al2O3);GZO(ZnO:Ga2O3);IGZO(In2O3+Ga2O3+ZnO);ITO(In2O3:SnO2);IZO(ZnO:2O3);YSZ(ZrO2:Y2O3); materiales piezoeléctricos(PbZrO3-PbTiO3). BaTiO3;SrTiO3;PbTiO3;PbZrO3;SrZrO3;LaAl2O3;LaNbO3;LiNbO3;LSMO;li3PO4. Cr-SiO,ZrO2+SiO2;Al2O3+ZrO2;Al2O3+MgO;CaF2+CeF3;CuO+In2O3;TA2O5+TiO2;TA2O5+ ZrO2;TiO2+Nb2O5 ;TiO2+ ZrO2;YAG;YBCO. 1.1.14   Otros frágil material que no se puede producir con el proceso de fusión.